复试大纲 | 华南师范大学【华南先进光电子研究院】复试大纲
热力学与统计物理物态方程，热力学第一定律及其应用，热力学第二定律及其应用，熵增加原理及其应用，麦克斯韦（Maxwell）分布及其应用，微观粒子量子态数的计算，玻尔兹曼分布、玻色分布和费米分布，经典和量子玻尔兹曼统计及其应用，配分函数及其应用，热力学第一定律及熵的微观解释，玻色统计和费米统计初步。
物理综合
考试目的：
考察考生对几何光学、物理光学等相关方向基础知识的理解和应用，考察考生的思维能力以及分析解决专业问题的能力。
笔试考试时间：
3小时。
考试形式：
闭卷
试题结构：
概念、问答、计算等题型。
笔试试卷内容：
科目包括几何光学、物理光学等内容。共25个试题，每题10分。参加复试的考生只需选做其中的10题，多做者按得分最高的10题计分，总分100分。
（一）几何光学部分复试大纲：
几何光学基本概念和基本定律；光的反射和折射；共轴球面系统基础知识；了解基本人眼及目视光学系统的基本原理和结构；平面镜棱镜等基本光学元件基本光学的基础知识；掌握理想光学系统及其成像关系；一些常见基本光路及光学系统的基础知识，光纤光学基本知识；了解光纤的传输原理；了解光纤的结构特点。
（二）物理光学部分复试大纲：
光的电磁波属性；光的传播基础知识；光的干涉原理；干涉仪、多光束干涉与光学薄膜；光的衍射原理；光栅衍射、衍射与成像系统；光的吸收、色散和散射的基础知识；光的偏振特性；晶体光学基础；傅里叶光学基础；全息光学成像概念；了解激光产生的条件；了解激光器的工作原理；了解激光技术等。
综合化学一
考试目的：
在考查物理化学基本知识、基本理论的基础上，注重考查考生灵活运用这些基础知识观察和解决实际问题的能力。
考试时间：
3小时。
考试形式：
闭卷
试卷结构：
选择题，填空题，简答题，论述题，计算题，总分100分。
考试内容：
物理化学、化学综合知识。
一、化学热力学
1、了解热力学基本术语：平衡状态，状态函数，可逆过程，热力学标准态；理解热力学能、焓、熵、Helmholtz 函数和 Gibbs 函数等热力学函数及热力学标准平衡常数的定义。
2、掌握在物质的 p，V，T 变化、相变化和化学变化过程中计算热、功和各种过程状态函数变化值的原理和方法。
3、在热力学一般关系式应用于特定系统的时候，会应用状态方程（主要是理想气体状态方程，其次是 van der Waal 方程）和物性数据（热容、相变热、蒸汽压等），并会灵活运用热力学三大定律解决各类物理化学变化过程的能量转换、变化方向和限度问题。
4、掌握热力学在溶液化学、相平衡体系、化学反应体系、电化学、界面化学方面的应用。
二、电化学基础
1、掌握电化学涉及的一些基本规律和应用，包括了解电解质溶液的导电机理。
2、掌握电解质溶液活度、离子平均活度及离子平均活度系数的概念。
3、了解可逆电池电动势与热力学函数的关系及Nernst 方程。
4、理解产生电极极化的原因和超电势的概念。
5、了解化学腐蚀和电化学腐蚀的基本原理和防止腐蚀的方法。
三、表面物理化学
1、掌握界面化学和胶体化学相关的物理化学知识，了解润湿、接触角、铺展毛细现象等基本术语。
2、了解溶液界面的吸附及表面活性物质的作用及其应用，并能运用其分析和解决实际生活生产中出现的问题。
四、化学动力学基础
1、了解化学反应速率、速率常数、基元反应、反应分子数及反应级数等概念。
2、掌握简单级数反应的速率方程及特征，熟悉各种因素对反应速率的影响；掌握由反应机理建立速率方程的近似方法（稳定态近似法、平衡态近似法）。
3、了解碰撞理论、过渡状态理论的基本思想、基本公式及有关概念。
4、掌握溶液化学动力学、催化学、光化学的基础知识；学会用动力学方法解决实际生产中的一些具体问题。
五、胶体化学
1、了解胶体的制备方法；掌握胶体的若干重要性质（动力性质、电学性质、光学性质）。
2、理解胶团的结构和扩散双电层概念。
3、熟练掌握溶胶的稳定性和聚沉作用，了解影响聚沉作用的重要因素。
4、了解乳状液和凝胶的概念。
六、化学综合知识
包括分析化学、有机化学、无机化学、实验基本知识。
综合化学二
考试目的：
考察考生对高分子物理、化学以及表征的基础知识的理解和应用；注重考查考生抽象思维能力、逻辑推理能力，灵活运用这些基础知识观察和解决实际问题的能力。
考试时间：
3小时。
考试形式：
闭卷。
试卷结构：
选择题，填空题，简答题，论述题，计算题，总分100分。
考试内容：
高分子化学、高分子物理、化学综合知识。
一、高分子化学
1、高分子化学的基本概念；高分子分类及命名。
2、高分子单体分子的设计与合成。
2、高分子聚合基本概念、原理、分类、特征、应用、聚合反应热力学与动力学。各种连锁聚合反应（自由基聚合、阳离子聚合、阴离子聚合、配位聚合、开环聚合）机理的特点、基元反应；单体与引发剂的匹配。各种逐步聚合反应机理的特点、聚合度的控制等。
3、高分子合成实验。
4、结构表征，用于研究分析聚合物材料所使用的各种光谱、色谱、质谱、能谱及显微镜等实验技术；测定聚合物基本参数如聚合物分子量及其分布、结晶度、各向异性等方面的方法。
5、高分子材料应用。
二、高分子物理
1、高分子结构，包括构型、构象、柔性、熵、相态和相分离、高分子凝聚态结构（晶态、非晶态、液晶态）、溶解与溶胀等。
2、高分子运动学，包括高分子链运动的松弛特性，力学状态，玻璃化转变，蠕变和应力松弛，应力—应变行为等。
3、物理性质表征，如熔点、玻理化转变、力学松弛等。性能测试，如力学性能、介电性能、光学性能、热性能等。
三、化学综合知识
包括分析化学、有机化学、物理化学、实验基本知识。
光电综合
考试目的：
考察考生对工程光学，物理光学，光通讯及电子技术等四个相关方向基础知识的理解和应用，考察考生的思维能力以及分析解决专业问题的能力。
笔试考试时间：
3小时。
考试形式：
闭卷
试题结构：
填空、判断、简答、计算、设计、综述等。
试卷内容：
科目包括工程光学、物理光学、光通讯及电子技术四部分内容。四部分内容各包含10个试题，共40个试题，每题10分。参加复试的考生只需选做其中的10题，多做者按得分最高的10题计分，总分100分。
（一）工程光学部分复试内容：
几何光学基本原理，共轴球面系统基础知识，人眼及目视光学系统基础知识，平面镜棱镜基础知识，辐射度学、光度学、色度学基础知识，光学系统成像质量评价，一些常见基本光路及光学系统的基础知识，光纤光学基本知识。
（二） 物理光学复试内容：
光的电磁波属性，光的传播基础知识，光的反射和折射，光的偏振与晶体光学基础，光的干涉、干涉仪、多光束干涉与光学薄膜，光的衍射、光栅衍射、衍射与成像系统，光的吸收、色散和散射，傅里叶光学基础，光的量子性基础知识，激光及激光器的基础知识。
（三）光通讯部分复试内容：
光纤的射线及波动理论导光原理，它的传输特性（色散、衰减、双折射等）及分类；光纤的非线性效应及其原理；掺铒光纤放大器原理及特性，光纤拉曼放大器原理和特点；光纤通信中的复用及调制编码技术。
（四）电子技术部分复试内容：
掌握运算放大器，包括运算放大器的分析方法，使用运算放大器搭建负反馈放大、加法器、比较器电路。掌握二极管三极管的基本知识，包括PN结的原理，单向导通性，三极管放大原理和基本电路。掌握基本逻辑门电路，和逻辑代数计算公式，运算规律，能进行逻辑代数的基本运算。
材料综合
考试目的：
考察考生对材料综合的基础知识的理解和应用；考察考生的思维能力、分析解决具体问题的能力。《材料综合》考试内容包括《材料物理化学》、《材料现代研究方法》和《材料科学基础》三门课，考生可任选其中一部分作答。
考试时间：
3小时。
考试形式：
闭卷
试卷结构：
选择题（共XX分），填空题（共XX分），证明题（共XX分）、计算题（共XX分），总分100分。(试卷结构自己决定即可，不一定都有上述类型的题目)
1、《材料物理化学》要求考生掌握化学热力学及化学动力学的基本知识；培养学生对化学变化和相变化的平衡规律及变化速率规律等物理化学问题，具有明确的基本概念，熟练的计算能力同时具有一般科学方法的训练和逻辑思维能力，体会并掌握怎样由实验结果出发进行归纳和演绎。
考试内容包括：
热力学基础、多组分系统热力学、相平衡、化学平衡、界面现象、电化学、以及化学动力学六个部分。
2、《材料现代研究方法》是材料、物理、化学、化工及环境等专业的专业基础课，是作为研究生必须掌握的一门专业知识。要求考生掌握在材料测试方法中应用最广和最基础的X射线衍射和扫描与透射电子显微镜分析技术。
考试内容包括：
掌握材料Ｘ射线衍射分析、电子显微分析、差热分析技术(DTA)、差示扫描量热技术(DSC)、热重分析技术(TG)等技术的相关原理与知识。
3、《材料科学基础》是材料科学与工程学科的重要基础理论课，是理解并学习各种材料其结构、加工工艺与性能之间联系的基础。
考试内容主要包括：
各类共性基础知识部分（原子结构与结合键、晶体结构、晶体缺陷、相图与相平衡、材料的凝固等）、金属材料基础知识部分（金属晶体中错位、表面与界面、塑性形变与再结晶、金属晶体中扩散、固态相变等）和无机材料基础知识部分（无机材料化学键结构与晶体结构、无机材料的缺陷、无机材料的相图与相变过程、无机材料的基本制造和加工原理、无机材料的机械性能、无机材料的光学和电学性能）。
半导体物理
考试目的：
考察考生对半导体物理的基础知识的理解和应用；考察考生的思维能力、数学运算能力、分析解决具体半导体物理问题的能力。
考试时间：
3小时。
考试形式：
闭卷
试卷结构：
共16道解答题，每题10分，考生可任选10道作答，总分100分。
考试内容：
1 半导体中的电子状态2 半导体中杂质和缺陷能级3 半导体中载流子的统计分布4 半导体的导电性5 非平衡载流子6 pn结7 金属和半导体的接触8 半导体表面与MIS结构
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