|
|
本帖最后由 天大考研 于 2023-2-23 15:39 编辑
一、考试的总体要求
考察学生对《半导体物理与器件》、《模拟集成电路》和《数字集成电路》等集成电路科学与工程的基本概念、基本理论知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。
二、考试内容及比例
（一）半导体物理与器件
1、半导体物理基本概念：能带理论、载流子浓度与掺杂及温度关系、非平衡载流子、费米能级与准费米能级、迁移率与掺杂和温度的关系、金属与半导体接触理论、MIS 结构；
2、半导体异质结：异质结概念及能带图，异质结锗硅双极晶体管的结构、性能特点与原因，高电子迁移率晶体管的结构、性能特点与原因；
3、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器，半导体太阳电池，半导体发光概念与应用，半导体激光基本原理；
4、半导体器件：半导体二极管、双极晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管的基本工作原理。
（二）模拟集成电路
1、单级放大器：共源级放大器、源跟随器、共栅级放大器、共源共栅级放大器；
2、差动放大器：单端与差动工作方式、基本差动对定性与定量分析、共模响应；
3、电流镜：基本电流镜结构、共源共栅电流镜、电流镜大信号和小信号分析；
4、运算放大器：典型运算放电路结构、运放带宽、增益、相位裕度、动态范围、电源抑制比、共模抑制比等参数概念、运算放大器的频率特性、稳定性与频率补偿；
5、电路噪声：噪声的统计特性、噪声类型、电路中噪声的表示、差动对中的噪声、噪声带宽；
6、反馈原理：反馈结构、反馈对负载的影响。
（三）数字集成电路
1、MOS 反相器及基本逻辑单元：CMOS 反相器、动态反相器、反相器链的延时、NMOS 逻辑、伪 NMOS 逻辑、传输管逻辑、传输门逻辑等。
2、导线模型及寄生参数：导线的互连参数、集总式模型、分布式模型、Elmore 延时。
3、CMOS 组合逻辑门的设计：静态 CMOS 组合逻辑、动态CMOS组合逻辑、多米诺逻辑、大扇入组合逻辑的优化技术等。
4、时序逻辑电路设计：静态锁存器和寄存器、动态锁存器和寄存器、流水线、施密特触发器、非双稳时序电路等。
5、数字电路中的时序问题：数字系统的时序分类、同步设计、自定时电路、时钟的不确定性、同步器等。
6、设计运算功能单元：数字处理器结构中的数据通路、加法器、乘法器、移位器等。
三、参考书目
1、半导体物理学，刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，电子工业出版社；
2、半导体物理与器件，美 Neamen 著，赵毅强等译，电子工业出版社；
3、模拟 CMOS 集成电路设计，美 Razavi 著，陈贵灿等译，西安交通大学出版社；
4、数字集成电路-电路、系统与设计，周润德等译，电子工业出版社。
|
|
